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[데일리임팩트 변윤재 기자] 삼성전자가 업계 최선단 공정을 적용한 D램 양산을 시작했다. 원가를 줄이면서도 전력 효율과 성능을 향상시킨 제품이다. 초격차 기술을 통해 수익성 개선과 메모리 주도권 방어를 꾀하겠다는 전략이다.
[변윤재 기자] 18일 삼성전자는 12나노(㎚·1나노미터는10억분의 1m)급 공정으로 16기가 비트(Gb) DDR5 D램 양산을 시작했다고 밝혔다. 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.
또 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 삼성전자 관계자는 데일리임팩트에 "데이터센터에서 사용할 경우, 전력 운영 효율을 높일 수 있다"며 "소비 전력 개선으로 탄소 배출과 에너지 사용을 줄일 수 있기 때문에 글로벌 IT 기업들에게 유용한 솔루션이 될 것"이라고 말했다.
삼성전자는 업계 최선단 공정을 적용하기 위해 유전율(K)이 높은 신소재를 사용했다. 전하를 저장하는 D램의 커패시터 용량이 늘어남에 따라, 신호의 전위차가 커져 구분이 용이해졌다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 1초당 최고 7.2Gb의 속도를 구현한다. 초당 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 셈이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 늘려 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다. 이미 지난해 12월 AMD와 호환성 검증을 미쳤다.
이주영 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"며 "대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능·고용량은 물론 생산성을 높인 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.
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