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[데일리임팩트 황재희 기자] 삼성전자가 더블스택 구조를 적용한 9세대 V낸드플래시를 업계 최초 양산한다고 23일 밝혔다.
[딜사이트경제슬롯머신 무료게임 전략 팁 황재희 기자] 9세대 V낸드는 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드 두께를 구현했다. 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
이 제품은 몰드층을 순차 적층한 뒤 전자가 이동하는 홀을 만드는 '채널 홀 에칭' 기술이 적용됐다. 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성을 크게 향상 시킬 수 있다. 삼성전자는 적층 단수가 높아지면 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구되는 기술이라고 설명했다.
9세대 V낸드는 이전 세대 대비 성능도 향상됐다. 약 33% 증가한 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현한다. 이는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'이 적용돼 가능했다. 추후 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 한다는 계획이다.
소비전력도 이전 세대 댑 약 10% 개선됐다. 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 이번 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정이다. 이를 기반으로 인공지능(AI)시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.
삼성전자 관계자는 데일리임팩트에 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량,고성능에 대한 니즈가 높아지고 있다"라며 "AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다.
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