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[딜사이트경제슬롯머신 무료 게임 황재희 기자] SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량을 구현한 5세대 12단 신제품을 내놓으 HBM 리더십을 한층 강화했다. 3GB(기가바이트) D램 칩 12개를 적층해 기존 제품(24GB) 보다 용량을 36GB 까지 높였다.
SK하이닉스가 26일 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초 양산한다고 밝혔다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초 양산한지 6개월 만이다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고부가가치 제품이다. AI(인공지능) 반도체 수요 확대에 따라 중요성이 부각되고 있다.
이번 HBM3E 12단의 속도는 현존 메모리 최고인 9.6Gbps로 높아졌다. 해당 제품 4개를 탑재한 단일 GPU(그래픽처리장치)로 거대언어모델(LLM) ‘라마 3 70B‘를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.
용량도 50% 늘어났다. 기존보다 40% 얇게 만든 D램 단품칩 12개를 수직으로 쌓았는데 TSV(실리콘 전극 관통) 기술이 적용됐다.
얇아진 칩을 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제는 어드밴스드 MR-MUF 공정으로 해결했다. SK하이닉스 관계자는 "전 세대보다 방열 성능을 10% 높였고 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다"고 말했다.
앞서 SK하이닉스는 2013년 세계 최초 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업으로 확장하며 AI 메모리에서 리더십을 이어가고 있다.
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