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[데일리임팩트 이승석 기자] 삼성전자가 업계 최초로 12단 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E D램 개발에 성공했다. 용량은 36기가바이트(GB)로 업계 최대 용량을 구현했다. 생성형 인공지능(AI) 확산으로 수요가 폭증한 고용량 HBM 시장 선점에 서두르는 모습이다.
[딜사이트경제슬롯 무료 게임 이승석 기자] 27일 삼성전자에 따르면, 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극 기술로 12단까지 적층해 36GB HBM3E를 개발했다. 상반기 양산을 목표로 이미 고객사에게 샘플 제공을 시작했다. 배용철 메모리사업부 상품기획실장(부사장_은 “삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다”며 “앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것”이라고 밝혔다.
12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 데이터 전송속도를 보여준다. 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 8단과 비교해 50% 이상 개선됐다. 삼성전자는 열압착 비전도성 접착 필름 기술로 8단과 동일한 높이로 12단까지 적층하는 데 성공했다. 이 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 ‘휘어짐 현상’을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다.
삼성전자는 NCF 소재 두께도 얇게 만들어 업계 최소 칩간 간격인 ‘7마이크로미터(um)’를 구현했다. HBM3 8단 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다. 특히, 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용해 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다.
삼성전자 관계자는 데일리임팩트에 “성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 그래픽사용장치(GPU) 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다”며 “서버 시스템에 HBM3E 12단 제품을 적용하면 HBM3 8단 제품을 탑재할 때 보다 AI 학습 훈련 속도가 평균 34% 향상되고, 추론 역시 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대된다. AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 최고의 솔루션이 될 것”이라고 강조했다.
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